上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机***，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

低功耗状态机编码

状态机编码对信号的活动性具有重要影响，通过合理选择状态机状态的编码方法，减少状态切换时电路的翻转，可以降低状态机的功耗。其原则是：对于频繁切换的相邻状态，尽量采用相邻编码。

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低功耗LDO的实现：主要在电路设计上进行分析和讨论

基于工艺厂提供的新版本的model对LDO的电路进行验证。在满足相关设计参数的同时，把“低功耗”作为电路实现的关键点。一方面，要求LDO有一个稳定性高的系统结构。从LDO的基本工作原理入手，对LDO的结构进行分析和讨论，找出一个合适可行的稳定结构。LDO的基本架构稳定可靠，才能***LDO的电路设计可实现;一方面，从模块的电路设计着手，加入芯片保护功能。比如加入过流保护等自保护电路，在芯片出现非正常状态时能及时做出反应，避免芯片被烧毁，使芯片更***。另外，由于此LDO为独立的测试芯片，因此必须设计I/O模块电路，并组建一个I/O环路，在该环路上必须存在完整的ESD(Electro-StaticDischarge静电泄放)泄放通路，保障芯片测试时不会出现ESD带来的失效;另一方面，结合65nm的CMOS工艺特征，同时按照实际的电路设计，对每个模块的版图的绘制要点都做了分析。在保持电路一致性的同时，对版图做更多失效方面的考虑和特殊处理。比如做ESD和LatchUp(闩锁效应)等失效分析，尽可能的去减弱甚至消除失效带来的问题，使芯片有更高的良率，更高抵御失效的能力，提升其生产制造可靠性。

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LDO的电路原理及特性：

原则上，驱动能力大磁保持继电器驱动电路，只要有线性特性的器件都可以，所以BJT和MOSFET都可以，但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求，而且驱动电流比较大，所以Vin和Vout的差值还是太高，所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差，通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降，大约是200mV，而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制（误差放大器的输出电压最为大只能达到其电源电压，即LDO的输入电压），所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs，所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本，但是NMOS调整管的PSRR(电源抑制比)比PMOS好。